17.06.2026 09:45
⚛️ Физики рассчитали, до каких размеров можно сжать транзистор Корейский институт KAIST разработал методику расчёта ква
⚛️ Физики рассчитали, до каких размеров можно сжать транзистор
Корейский институт KAIST разработал методику расчёта квантового предела миниатюризации транзисторов. Когда элементы становятся слишком малыми, квантовое туннелирование создаёт неконтролируемые утечки тока — электроны начинают «просачиваться» через энергетические барьеры, которые должны их останавливать. Новая методика впервые даёт производителам чипов точные ориентиры вместо слепого перебора вариантов.
В основе — теория функционала плотности, которую физики давно используют для моделирования молекул. Исследователи применили её к однослойному дисульфиду молибдена (MoS₂) — кандидату в материал для транзисторов нового поколения. Рассчитали контакты с четырьмя металлами (скандий, серебро, золото, палладий) в двух архитектурах — верхний и краевой контакт.
Результат: критическая длина туннелирования — не константа. Она зависит от работы выхода металла и геометрии стыка. При правильном подборе материала и схемы подключения предел опускается ниже 4 нм — настоящих, а не маркетинговых. Для n-транзисторов лучше работает верхний контакт с металлами малой работы выхода, для p-типа — краевой с высокой.
Теперь инженеры могут проектировать атомарные структуры на бумаге, экономя годы на опытных образцах — квантовая физика перестаёт быть чёрным ящиком в гонке за нанометрами.
📡 Мгновенные новости — в нашем Telegram-канале
Корейский институт KAIST разработал методику расчёта квантового предела миниатюризации транзисторов. Когда элементы становятся слишком малыми, квантовое туннелирование создаёт неконтролируемые утечки тока — электроны начинают «просачиваться» через энергетические барьеры, которые должны их останавливать. Новая методика впервые даёт производителам чипов точные ориентиры вместо слепого перебора вариантов.
В основе — теория функционала плотности, которую физики давно используют для моделирования молекул. Исследователи применили её к однослойному дисульфиду молибдена (MoS₂) — кандидату в материал для транзисторов нового поколения. Рассчитали контакты с четырьмя металлами (скандий, серебро, золото, палладий) в двух архитектурах — верхний и краевой контакт.
Результат: критическая длина туннелирования — не константа. Она зависит от работы выхода металла и геометрии стыка. При правильном подборе материала и схемы подключения предел опускается ниже 4 нм — настоящих, а не маркетинговых. Для n-транзисторов лучше работает верхний контакт с металлами малой работы выхода, для p-типа — краевой с высокой.
Теперь инженеры могут проектировать атомарные структуры на бумаге, экономя годы на опытных образцах — квантовая физика перестаёт быть чёрным ящиком в гонке за нанометрами.
📡 Мгновенные новости — в нашем Telegram-канале