08.08.2026 12:45
🔬 TSMC научилась делать транзисторы из одного атомного слоя Тайваньские учёные вместе с инженерами TSMC разработали спо
🔬 TSMC научилась делать транзисторы из одного атомного слоя
Тайваньские учёные вместе с инженерами TSMC разработали способ изготовления транзисторов на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂). Главная проблема была не в материалах, а в том, как их соединять — когда атомы сближаются настолько, что начинают резко влиять друг на друга.
Раньше на поверхность MoS₂ не удавалось нанести качественный изолятор затвора: она почти не имеет свободных химических связей, и стандартное атомное осаждение (ALD) не формирует сплошные сверхтонкие плёнки. Плюс диэлектрики с высокой проницаемостью вроде HfO₂ усиливают рассеяние электронов и снижают их подвижность.
Решение нашлось в создании атомарно тонкого буфера между MoS₂ и основным диэлектриком. В условиях сверхвысокого вакуума на поверхность наносили слой алюминия толщиной 0,3 нм, который контролируемо окисляли до Al₂O₃. Поверх него уже можно размещать HfO₂. Получившиеся транзисторы с короткими каналами имеют эквивалентную толщину затвора около 1 нм при сохранении высокой подвижности носителей. Сам MoS₂ имеет толщину всего 0,7 нм и значительно лучше кремния сопротивляется эффектам короткого канала при дальнейшей миниатюризации.
Это пока демонстрация принципа, а не готовая замена кремниевым CMOS. Но прорыв в том, что буферный интерфейс из нескольких атомов превратился из простой прокладки в ключевой элемент транзистора, определяющий его характеристики.
📡 Мгновенные новости — в нашем Telegram-канале
Тайваньские учёные вместе с инженерами TSMC разработали способ изготовления транзисторов на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂). Главная проблема была не в материалах, а в том, как их соединять — когда атомы сближаются настолько, что начинают резко влиять друг на друга.
Раньше на поверхность MoS₂ не удавалось нанести качественный изолятор затвора: она почти не имеет свободных химических связей, и стандартное атомное осаждение (ALD) не формирует сплошные сверхтонкие плёнки. Плюс диэлектрики с высокой проницаемостью вроде HfO₂ усиливают рассеяние электронов и снижают их подвижность.
Решение нашлось в создании атомарно тонкого буфера между MoS₂ и основным диэлектриком. В условиях сверхвысокого вакуума на поверхность наносили слой алюминия толщиной 0,3 нм, который контролируемо окисляли до Al₂O₃. Поверх него уже можно размещать HfO₂. Получившиеся транзисторы с короткими каналами имеют эквивалентную толщину затвора около 1 нм при сохранении высокой подвижности носителей. Сам MoS₂ имеет толщину всего 0,7 нм и значительно лучше кремния сопротивляется эффектам короткого канала при дальнейшей миниатюризации.
Это пока демонстрация принципа, а не готовая замена кремниевым CMOS. Но прорыв в том, что буферный интерфейс из нескольких атомов превратился из простой прокладки в ключевой элемент транзистора, определяющий его характеристики.
📡 Мгновенные новости — в нашем Telegram-канале